2．2与ARM处理器的连接
　　
　　当前嵌入式领域的主流处理器当属ARM。图2是以ARM7处理器为例给出的NANDFlash与ARM处理器的一般连接方法。如前所述，与NORFlash不同，NANDFlash需要驱动程序才能正常工作。
　　
　　图中PB4，PB5，PB6是ARM处理器的GPIO口，可用来控制NANDFlash的片选信号。CS1是处理器的片选信号，低电平有效。IORD、IOWR分别是处理器的读、写信号，低电平有效。写保护信号在本电路中没有连接。
　　
　　2．3具体操作
　　
　　地址输入，命令输入以及数据的输入输出，都是通过NANDFlash的CLE、ALE、CE、WE、RE引脚控制的。具体方式如表1所列。
　　
　　表1逻辑表
　　
　　CLEALECEWERE命令输入100时钟上升沿1数据输入000时钟上升沿1地址输入010时钟上升沿1串行数据输出0001时钟下降沿待机状态XX1XX
　　NANDFlash芯片的各种工作模式，如读、复位、编程等，都是通过命令字来进行控制的。部分命令如表2所列。
　　
　　表2命令表
　　
　　第一周期（Hex）第二周期（Hex）串行数据输入80无读模式100无读模式201无读模式350无复位FF无自动编程（真）10无自动编程（假）11无自动块删除60D0状态读取170无状态读取271无ID读取190无ID读取291无
　　串行数据输入的命令80表示向芯片的IO8、IO7、IO6、IO5、IO4、IO3、IO2、IO1口发送0x80，此时除IO8为1外，其余IO口均为低电平。
　　
　　2．4时序分析及驱动程序
　　
　　下面以表2中的读模式1为例分析该芯片的工作时序。由图3可知，CLE信号有效时通过IO口向命令寄存器发送命令00H。此时NANDFlash处于写状态，因此WE有铲，RE无效。发送命令后，接着发送要读的地址，该操作将占用WE的1、2、3、4个周期。注意，此时发送的是地址信息，因此CLE为低，而ALE为高电平。当信息发送完毕后，不能立刻读取数据，因为芯片此时处于BUSY（忙）状态，需要等待2~20ms。之后，才能开始真正的数据读取。此时WE为高电平而处于无效状态，同时CE片选信号也始终为低以表明选中该芯片。
　　
　　这段时序的伪代码如下：
　　
　　Read_func(cmd,addr)
　　
　　{
　　
　　RE=1;
　　
　　ALE=0;
　　
　　CLE=1;
　　
　　WE=0;
　　
　　CE=0;
　　
　　Send_cmd(cmd);//发送命令，由参数决定，这里为00
　　
　　WE=1；//上升沿取走命令
　　
　　CE=1；
　　
　　CLE=0；//发送命令结束
　　
　　ALE=1；//开始发送地址
　　
　　For(i=0;i<4;i++)
　　
　　{
　　
　　WE=0;
　

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