T：控制器输出引脚；
　　
　　VIN：电源输入引脚。应用时此脚与GND之间应连一只0.1μF的去耦电容；
　　
　　VDET：低电池电压检测输入端（UCC39421无此引脚）。
　　
　　3应用
　　
　　3.1拓扑结构与同步整流器
　　
　　UCC39421/2可用来构成BOOST、Flyback及SEPIC拓扑。此时，该控制器可在Vin=1.8～8V下工作。应用中可根据输入电压和输出电压选择合适的拓扑类型，表1列出了UCC39421/2的VIN、VOUT和拓扑之间的关系。
　　
　　表1输入输出电压与拓扑的关系
　　
　　电池类型电池数目VIN范围VOUT（V）拓扑结构碱性或镍镉、镍氢21.8V～3.0V3.0<V<8.0升压32.7V～4.5V2.5<V<3.9回扫或SEPIC4.5<V<8.0升压V>8.0非同步升压锂离子12.5V～4.2V2.5<V<3.6回扫或SEPIC4.2<V<8.0升压V>8.0非同步升压
　　UCC39421/2既可驱动N海道MOSFET，亦可驱动P沟道MOSFET同步整流器。当RSEL引脚与GND相连时，RECT脚可为N沟道MOSFET提供驱动输出信号；而当RSEL脚与VIN相连时，RECT脚则为P沟道MOSFET提供驱动输出信号。其拓扑类型、VOUT与同步整流器的关系如表2所列。
　　
　　表2拓扑类型、VOUT与MOSFET的关系
　　
　　拓扑VOUT（V）同步整流器升压3.0<V<8.0P沟道MOSFETV<4.0N沟道MOSFETV>8.0非同步升压回扫2.5<VV3.0N沟道MOSFET3.0<V<8.0N沟道MOSFETSEPIC3.0<V<8.0P沟道MOSFET
　　3.2典型应用电路
　　
　　图3所示是UCC39422的典型应用电路，图中给出了外围元件的连接关系。对于UCC39421来说，它与UCC39422相比，仅少了一个独立低电池电压检测电路复位电路，其余均相同。
　　
　　在图3电路中，与UCC39422脚11（VDET）相连的R1、R2构成的电阻分压器的作用是检测电池的低电压。
　　
　　图5运用N沟道MOSFET同步整数流器不带电荷泵输入的回扫变换器
　　
　　3.3升压变换应用电路
　　
　　图4是UCC39421用N沟道MOSFET作同步整流器的升压变换器电路。
　　
　　在图4中，输入电压VIN的范围为1.8V～3.2V，输出电压Vout为3.3V，这与表1所列的升压拓扑模式相符。RSENSE为电流感测电阻，DPUMP、CFLY组成的电荷泵电路可使CFLY上升的充电电压达到VOUT-VDIODE。CPUMP是电荷泵储存电容器。
　　
　　3.4回扫变换应用电路
　　
　　图5所示是UCC39421运用N沟道MOSFET作同步整流器，且不带电荷泵输入的回扫变换电路原理图。图中，L1初次级的匝比为1：1。此拓扑的优点在于VOUT可以高于也可以低于VIN。
　　
　　
　　
　

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