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新型大容量闪存芯片-K9K2GXXU0M

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

摘要:K9K2GXXU0M是三星公司生产的大容量闪存芯片,它的单片容量可高达256M。文中主要介绍了K9K2GXXU0M的特性、管脚功能和操作指令,重点说明了K9K2GXXU0M闪存的各种工作状态,并给出了它们的工作时序。

    关键词:闪存;K9K2GXXU0M;大容量 Flash

闪存(FLASH MEMORY闪烁存储器)是一种可以进行电擦写,并在掉电后信息不丢失的存储器,同时该存储器还具有不挥发、功耗低、(范文先生网www.fwsir.com收集整理)擦写速度快等特点,因而可广泛应用于外部存储领域,如个人计算机和MP3、数码照相机等。但随着闪存应用的逐渐广泛,对闪存芯片容量的要求也越来越高,原来32M、64M的单片容量已经不能再满足人们的要求了。而 K9K2GXXX0M的出现则恰好弥补了这一不足。K9K2GXXX0M是三星公司开发的目前单片容量最大的闪存芯片,它的单片容量高达256M,同时还提供有8M额外容量。该闪存芯片是通过与非单元结构来增大容量的。芯片容量的提高并没有削弱K9K2GXXX0M的功能,它可以在400μs内完成一页2112个字节的编程操作,还可以在2ms内完成128k 字节的擦除操作,同时数据区内的数据能以50ns/byte的速度读出。

K9K2GXXU0M大容量闪存芯片的I/O口既可以作为地址的输入端,也可以作为数据的输入/输出端,同时还可以作为指令的输入端。芯片上的写控制器能自动控制所有编程和擦除操作,包括提供必要的重复脉冲、内部确认和数据空间等。

1 K9K2GXXU0M的性能参数

K9K2GXXU0M的主要特点如下:

●采用3.3V电源;

●芯片内部的存储单元阵列为(256M+8.192M)bit×8bit,数据寄存器和缓冲存储器均为(2k+64)bit×8bit;

●具有指令/地址/数据复用的I/O口;

●在电源转换过程中,其编程和擦除指令均可暂停;

●由于采用可靠的CMOS移动门技术,使得芯片最大可实现100kB编程/擦除循环,该技术可以保证数据保存10年而不丢失。

表1所列是K9K2GXXU0M闪存芯片的编程和擦除特性参数。表中的tCBSY的最长时间取决于内部编程完成和数据存入之间的间隔。

表1 K9K2GXXU0M的编程和擦除特性

参    数 符 号 最  短 典  型 最  长 单  位 编程时间 tPROG   300 700 μs 缓存编程的虚拟忙时间 tCBSY   3 700 μs 在同一页中的局部编程循环 主列 NOP     4 周期 空列     4 周期 块擦除时间 tBERS   2 3 ms

2 K9K2GXXU0M的管脚说明

K9K2GXXU0M有48个引脚,其引脚排列如图1所示。具体功能如下:

I/O0~I/O7:数据输入输出口,I/O口常用于指令和地址的输入以及数据的输入/输出,其中数据在读的过程中输入。当芯片没有被选中或不能输出时,I/O口处于高阻态。
新型大容量闪存芯片-K9K2GXXU0M
    CLE:指令锁存端,用于激活指令到指令寄存器的路径,并在WE上升沿且CLE为高电平时将指令锁存。

ALE:地址锁存端用于激活地址到内部地址寄存器的

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