您现在的位置: 范文先生网 >> 理工论文 >> 电子通信论文 >> 正文

新型大容量闪存芯片-K9K2GXXU0M

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

路径,并在WE上升沿且ALE为高电平时,地址锁存。

CE:片选端用于控制设备的选择。当设备忙时CE为高电平而被忽略,此时设备不能回到备用状态。

RE:读使能端,用于控制数据的连续输出,并将数据送到I/O总线。只有在RE的下降沿时,输出数据才有效,同时,它还可以对内部数据地址进行累加。

WE:写使能控制端,用于控制I/O口的指令写入,同时,通过该端口可以在WE脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。

WP:写保护端,通过WP端可在电源变换中进行写保护。当WP为低电平时,其内部高电平发生器将复位。

图3 编程操作时序图

    R/ B:就绪/忙输出,R/ B的输出能够显示设备的操作状态。R/ B处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后,R/ B会自动返回高电平。由于该端是漏极开路输出,所以即使当芯片没有被选中或输出被禁止时,它也不会处于高阻态。

PRE:通电读操作,用于控制通电时的自动读操作,PRE端接到VCC可实现通电自动读操作。

● VCC:芯片电源端。

● VSS:芯片接地端。

● NC:悬空。

3 K9K2GXXU0M的坏块

闪存同其它固体存储器一样都会产生坏块。坏块是包含一位或多位无效位的块。在K9K2GXXU0M中坏块并不影响正常部分的工作,这是因为在K9K2GXXU0M中,各块之间是隔离的。坏块均可以通过地址的布置系统找到,而在K9K2GXXU0M中地址为00h的第一块一定应当是正常的。坏块在大多数情况下也是可擦写的,并且一旦被擦掉就不可能恢复。因此,系统必须能根据坏块信息来识别坏块,并通过流程图建立坏块信息表,以防止坏块信息被擦除。

在闪存的使用中,可能会产生新的坏块,从而使正常工作出现一些错误。在擦除和编程操作后,如果出现读失败,应当进行块置换。块置换是由容量为一页的缓冲器来执行的,可以通过发现一个可擦的空块和重新对当前数据对象进行编程来复制块中的剩余部分。为了提高存储空间的使用效率,当由单个字节错误而引起的读或确认错误时,应由ECC收回而不要进行任何块置换。

4 K9K2GXXU0M的工作状态

4.1 按页读操作

K9K2GXXU0M的默认状态为读状态。读操作是以通过4个地址周期将00h地址写到指令寄存器为开始指令,一旦该指令被锁存,就不能在下页中写入读操作了。

当地址变化时,随机读操作可以将选定页中的2112字节数据在25μs内存入数据寄存器中。系统可以通过分析R/ B脚的输出来判断数据转移是否完成。而存入数据寄存器的数据可以很快地被读出,如一页的数据通过连续的RE脉冲可以在50ns内读出。

可以通过写入随机数据输出指令来从一页中随机地输出数据。数据地址可以从将要输出的数据地址中通过随机输出指令自动找到下一个地址。随机数据输出操作可以多次使用。图2给出了读操作的时序图。

4.2 页编程

K9K2GXXU0M的编程是按页进行的,但它在单页编程周期中支持多个部分页编程,而部分页的连续字节数为2112。写入页编程确认指令(10h)即可开始编程操作,但写入指令(10h)前还必须输入连续数据。

连续装载数据在写入连续数据输入指令(80h)后,将开始4个周期的地址输入和数据装载,而字却不同于编程的数据,它不需要装载。芯片支持在页中随机输入数据,并可根据随机数据输入指令(85h)自动变换地址。随机数据输入也可以多次使用。图3为其编程操作时序图。

4.3 缓存编程

缓存编程是页编程的一种,可以由2112字节的数据寄存器执行,并只在一个块中有效。因为K9K2GXXU0M有一页缓存,所以当数据寄存器被编入记忆单元中时它便可以执行连续数据输入。缓存编程只有在未完成的编程周期结束且数据寄存器从缓存中传数后才能开始。通过R/ B脚可以判断内部编程是否完成。如果系统只用R/ B来监控程序的进程,那么,最

上一页  [1] [2] [3] 下一页

下页更精彩:1 2 3 4 下一页