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多路读写的SDRAM接口设计

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

摘要:介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令时序,提出一种应用于解复用的支持多路读写的SDRAM接口设计,为需要大容量存储器的电路设计提供了新思路。

    关键词:SDRAM 解复用 接口

存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展,对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、读写速度快、支持突发式读写及相对低廉的价格而得到了广泛的应用。SDRAM的控制比较复杂,其接口电路设计是关键。

本文首先介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令;然后介绍接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程,应用于解复用的SDRAM接口电路的设计方法;最后给出了实现结果。
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1 SDRAM的主要控制信号和基本命令

SDRAM的主要控制信号为:

·CS:片选使能信号,低电平有效;

·RAS:行地址选通信号,低电平有效;

·CAS:列地址选通信号,低电平有效;

·WE:写使能信号,低电平有效。

SDRAM的基本命令及主要控制信号见表1。

表1 SDRAM基本操作及控制信号

命    令    名    称 CS RAS CAS WE 命令禁止(NOP:Command inhibit) H X X X 空操作(NOP:No operation) L H H H 激活操作(ACT:Select bank and active row) L L H H 读操作(READ:Select bank and column,and start READ burst) L H L H 写操作(WRITE:Select bank and column,and start WRITE burst) L H L L 突发操作停止(BTR:Burst terminate) L H H L 预充电(PRE:Deactive row in bank or banks) L L H L 自动刷新或自我刷新(REF:Auto refresh or self refresh) L L L H 配置模式寄存器(LMR:Load mode register) L L L L

所有的操作控制信号、输入输出数据都与外部时钟同步。

2 接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程

一个完备的SDRAM接口很复杂。由于本文的SDRAM接口应用于解复用,处理的事件相对来说比较简单,因而可以简化设计而不影响性能。接口电路SDRAM的主要操作可以分为:初始化操作、读操作、写操作、自动刷新操作。
多路读写的SDRAM接口设计
    (1)初始化操作

SDRAM上电一段时间后,经过初始化操作才可以进入正常工作过程。初始化主要完成预充电、自动刷新模式寄存器的配置。操作过程如图1所示。

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