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Flash存储器在TMS320C3x系统中的应用

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

摘要:以基于TMS320C32 DSP开发的故障录波装置为模型,介绍AMD公司的Flash存储器Am29F040的原理和应用;利用它操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在Flash存储器内的特性,结合TMS320C3x提出实现DSP系统上电后用户程序的自动引导的方法。

    关键词:Flash存储器 TMS320C32 自动引导 Am29F040

引言

在对电力系统断路器的状态监测过程中,需要对故障数据进行保存,以便于查扑克;在则故障期间难免会出现停机的现象,因此,如何在断电的状态下保存数据,就成为一个关键问题。对于故障出现的监测装置必须满足两个基本的特性——实时性和快速性。这两种特性都需要以快速处理大量的数据信息为基础,所以我们采用数据信号处理DSP来满足这方面的要求。现在,闪存(Flash Memory)已经成为DSP系统的一个基本的配置。

这里Flash存储器主要用来存放用户程序代码。一般来说,将用户需要的程序代码装入Flash存储器有三种方法:一种是在存储器出厂前将数据写入;一种是用户使用编程器自己编程;最后一种是将存储器安装在用户电路板后进行编程。随着芯片制造工艺的提高,芯片的集成度也越来越高,使Flash存储器正在向小型化、帖片式方向发展。本文结合TMS320C3x系列的DSP上电引导表产生方法,讨论AMD公司生产的Am29F040闪存在系统中的编程方法。
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1 Flash存储器Am29F040

Am29F040是AMD公司生产的Flash存储器,主要作用是固化程序和保存历史数据,也就是开机后执行闪存的程序,并在程序执行的过程中实时地保存或修改其内部的数据单元。

下面首先介绍Am29F040的特点和操作。

Am29F040是采用5V单电源供电的可编程只读存储器,是一种电可擦除与重新编程的器件。该器件由8个独立的64K字节块组成,访问速度为55~150ns。片内的状态机编程和擦除器件、嵌入式字节编程与区段/芯片擦除功能是全自动的。内部结构框图如图1所示。

A0~A18:地址线。其中A8~A18提供存储区地址,行地址确定所在扇区;A0~A7选定其扇区的一个字节,扇区容量是256字节。

DQ0~DQ7:数据输入/输出。在读周期输出数据;

在写周期接收数据。写过程中写入的数据被内部锁存。

CE:输入,芯片使能,低电平时选中该器件。

OE:输入,输出使能,低电平时打开数据输出缓冲区,允许读操作。

WE:输入,写使能,低电平时允许写操作。

Vcc为5V电源。Vss为地。

工用方式有读方式、待机方式、输出禁止及算法选择。

例如,对于写操作的编程命令,如表1所列。

其中:RA为被读出的存储单元地址;

PA为被编程的存储单元地址;

RD为所选地址单元被读出的数据;

PD为所选地址单元被编程的数据。

除编程地址、区段地址和读地址之外的所有总线周期地址,地址引脚A18、A17、A16、A15为高或低。

下面以命令表的编程命令为例。简要介绍字节编程。表1所列命令是一个4总线周期指令。首先,在地址5555H写入数据0AAH,地址2AAAH写入数据055H,再在地址5555H写入数据A0H,最后是编程的地址和数据。

表1 软件命令简表

命  令 总线周期 第一周期 第二周期 第三周期 第四周期 地

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