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高精度时钟芯片SD2001E及其应用

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

摘要:介绍一种内置晶振、充电电池、串行NVRAM的高精度和免调校实时时钟芯片SD2001E。由该芯片构成的时钟电路具有精度高、外围电路和接口电路简单的特点。文中详细描述芯片的主要特性、引脚说明及其工作原理,给出在嵌入式系统中的应用方法、硬件接口电路及应用程序。

    关键词:SD2001E 实时时钟 单片机

实时时钟电路在以单片机为核心构成的智能仪器仪表、测控系统、工业控制等领域有着广泛的应用,但现有的时钟电路存在着外围电路(如需外接晶振、电池)和接口电路(并行接口)复杂、功能单一等缺点。SD2001E则是在内部集成了实时时钟电路、串行非易失性SRAM、可充电电池、晶振及电池管理电路的新型实时时钟芯片。该芯片与单片机的接口电路采用工业标准I2C总线,从而简化了接口电路设计。利用该芯片无需扩展任何外围元件,即可构成一个高精度实时时钟及具有256Kb非易失性SRAM的数据存储电路。(范文先生网www.fwsir.com收集整理)

1 主要特性及引脚说明

SD2001E时钟芯片的主要特性如下:

*年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出;

*I2C总线接口(包括实时时钟部分和SRAM部分);

*自动日历到2099年(包括闰年自动换算功能);

*内置晶振,出厂前已对时钟进行校准,保证精度为±4×10 -6,即时钟年误差小于2min;

*低功耗,典型值为1.0μA(VDD=3.5V);

*工作电压为3.0~5.5V(其中NVRAM在4.5~5.5V工作);

*可设置的两路闹钟输出及32 768Hz~1Hz的方波信号输出;

*可设置的每分钟固定中断输出或选定频率固定中断输出;

*内置充电电路和充电电池,充满一次可保持内部时钟走时时间超过1年以上,可满充电次数达200次;

*内置电源管理电路,当VDD≥3.0V,内部电池不耗电;

*内置稳定电路及电池掉电检测电路;

*内置256Kb的非易失性SRAM,其擦写次数为100亿次,且没有内部写延时。

SD2001E采用24脚DIP封装形式。各引脚的功能如表1所列,其外形及引脚排列如图1所示。

表1 SD2001E引脚说明

引脚号 标  廖 功    能 特  征 3 TEST 测试 内部电池电压检测 4 ON/OFF 打开/关闭SRAM,接低电平为打开SRAM,接高电平时关闭 此功能引脚主要用来降低芯片整体功耗 10~12 GND 接地   13 SCL 串行时钟输入脚 CMOS输入(与VDD间无保护二极管) 14 VOUT 3.3V稳压输出脚,当VDD≥3.4V时有效 可供电流≤30mA,电压精度3.3(1±0.02)V 15 SDA 串行数据输入/输出脚 N沟道开路输出(与VDD间无保护二极管)CMOS输入 1、2、22
16~18、5~9 NC 空引脚   19 INT1 报警中断1输出脚,根据中断寄存器与状态寄存器来设置其工作的模式,当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写状态寄存器来禁止 N沟道开路输出(与VDD端之间无保护二极管) 20 SDAE

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