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新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

摘要:SKHI22A/B是德国西门康(SEMIKRON)公司推出的一种新型的IGBT/MOSFET的驱动模块。文章介绍了SKHI22A/B的主要结构特点和功能,给出了它的具体应用电路。

    关键词:IGBT;驱动模块 ;SKHI22A/B

1 概述

SKHI系列驱动模块是德国西门康(SEMIKRON)公司推出的一种新型IGBT/MOSFET驱动模块。SKHI系列驱动模块主要有以下特点:

●仅需一个不需隔离的+15V电源供电

●抗dV/dt能力可以达到75kV/μs

●控制电路和IGBT主电路之间的隔离电压可以达到4kV
(范文先生网www.fwsir.com收集整理)
    ●输出峰值电流可以达到30A

●同一桥臂上下开关管驱动信号具有互锁功能,可以防止两个开关管的贯穿导通

●死区时间、VCE的监控、RGON/OFF可以分别调节,因而可以对不同用户的特殊需求进行优化

●可以输出差错信号以通知控制系统

●具有过流、欠压保护功能。

下面主要以SKHI22A为例,对SKHI系列驱动模块进行介绍。

2 内部结构及原理

SKHI22A/B引脚功能排列如表1所列。图1所示是SKHI系列驱动器的内部电路原理图。

表1 SKHI22A的引脚功能

引脚号 引脚名称 引脚说明 P14 GND/0V 相应输入信号的地 P13 Vs 电源+15V±4% P12 VIN1 上开关管的输入开关信号1,+5V逻辑(对于SKHI22A/21A为+15V逻辑) P11 FREE 空置 P10 ERROR 差错输出,低有效,集电极开路输出,最大为30V/15mA P9 TDT2 通过接地或接Vs数字调节桥臂上下开关管的死区时间 P8 VIN2 下管的输入开关信号1,+5V逻辑(对于SKHI22A/21A为+15V逻辑) P7 GND/0V 相应输入信号的地 S20 VCE1 接IGBT1的集电极(上开关管) S15 CCE1 通过外接RCE和CCE来调节参考电压 S14 GON1 接RON到IBGT1的基极 S13 GOFF1 接ROFF到IBGT1的基极 S12 E1 接IGBT1的发射极(上开关管) S1 VCE2 接IGBT2的集电极(下开关管) S6 CCE2 通过外扫RCE和CCE来调节参考电压 S7 GON2 接RON到IGBT2的基极 S8 GOFF2 接ROFF到IGBT2的基极 S9 E2 接IGBT2的发送极(下开关管)

2.1 SKHI22A/B的脉冲整形电路

SKHI中的脉冲整形电路的作用是在控制IBGT的脉冲信号输入后,用短脉冲抑制电路对脉冲宽度小于500ns的开关脉冲进行抑制,以使其不能传递到IGBT,这样可以有效的抑制电磁干扰引起的电压尖峰对开关管的误触发,从而提高驱动电路的抗干扰能力。另外,模块还

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