您现在的位置: 范文先生网 >> 理工论文 >> 电子通信论文 >> 正文

通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

  摘要:采用一种简单可行的方法,在TI公司TMS320C6XDSP集成开发环境CCS2.0下,通过JTAG口实现对DSP外部Flash可擦写存储器的在线编程;将用户数据文件烧写到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711DSP板上多次测试通过。
  关键词:嵌入式系统DSPFlashJTAG在线编程CCS2.0
  
  引言
  
  在采用TI数字信号处理器(DSP)的嵌放式硬件系统开发完成,软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后,怎样将编译、链接后生成的可执行文件(.Out),经过转换后的十六进制文件(.Hex)写入硬件系统的Flash存储器中,让系统脱机运行,这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。
  
  从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例,介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。
  
  1Flash存储器的擦除
  
  Flash编程之前,应对Flash进行擦除,使其每个数据位都恢复为1状态,即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期,总线时序如图1。
  
  从图1可知,各总线周期的操作为:
  
  第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  
  第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  
  第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;
  
  第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
  
  第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  
  第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。
  
  完成上述操作后,Flash存储器被完全擦除,内部数据恢复为初始状态,全为FFH。
  
  在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:
  
  voiderase_flash()
  
  {
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010;
  
  }
  
  在TMS320C6711系统中,Flash所在地址段为CE1空间,其开始地址为0x90000000。这样,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为:
  
  #defineFLA

[1] [2] [3] [4] [5] 下一页

下页更精彩:1 2 3 4 下一页