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TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

时间:2007-1-20栏目:电子通信论文

  
  .endm
  
  _WRITEFlash.macropar,pdr;编程宏,par是编程地址寄存
  
  ;器,pdr是存放编程数据的寄存器
  
  _WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期1(解锁)
  
  _WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期2(解锁)
  
  _WRITECOMMAND#8555H,#0A0H;周期3(建立)
  
  LDpdr,A;周期4(编程)
  
  STLA,par;把pdr寄存器中数据放入par
  
  ;寄存器的地址中
  
  RPT#12
  
  NOP
  
  _JUDGEpar,pdr;检测编程是否正确,见Flash
  
  ;的操作检测
  
  .endm
  
  _WRITECOMMAND是实现一个周期编程的写命令宏,而_WRITEFlash是完成对指定地址编程的四个完整周期。
  
  表2擦除命令
  
  周期1(解锁)2(解锁)3(建立)4(解锁)5(解锁)6(片擦除)6(扇区擦除)地址0x5550x2AA0x5550x5550x2AA0x555SA(扇区地址)数据0xAA0x550x800xAA0x550x100x30
  ②擦除命令。该命令有片擦除和扇区擦除两种,都需要6个总线周期,前两个解锁周期,第三个建立周期,四、五两个解锁周期,最后是片擦除或扇区擦除周期,如表2所列。一旦执行编程或擦除命令后,就启动Flash的内部编程或擦除算法,自动完成编程或擦除操作。擦除程序如下:
  
  _ERASEFlash.macro;擦除宏
  
  _WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期1(解锁)
  
  _WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期2(解锁)
  
  _WRITECOMMAND#8555H,#080H;周期3(建立)
  
  _WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期4(解锁)
  
  _WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期5(解锁)
  
  _WRITECOMMAND#8555H,#010H;周期6(片擦除)
  
  STM#8555H,AR3
  
  LD#010H,A
  
  STLA,*AR5
  
  _JUDGE*AR3,*AR5;检测是擦除结束,见Flash的
  
  ;操作检测
  
  .endm
  
  ③读数据命令。上电或内部编程、擦除操作结束后就进入读数据状态,写入要读取的地址即可读出该地址的数据。
  
  ④复位命令。它使存储器复位,进入读数据状态,向任何一个地址写入数据0xF0就能使Flash存储器复位。在进行编程、擦除之前,都应先复位,在编程或擦除等正常操作中出

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