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通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程

时间:2023-02-21 00:14:06 电子通信论文 我要投稿
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通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程

  摘要:采用一种简单可行的方法,在TI公司TMS320C6XDSP集成开发环境CCS2.0下,通过JTAG口实现对DSP外部Flash可擦写存储器的在线编程;将用户数据文件烧写到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711DSP板上多次测试通过。
  关键词:嵌入式系统DSPFlashJTAG在线编程CCS2.0
  
  引言
  
  在采用TI数字信号处理器(DSP)的嵌放式硬件系统开发完成,软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后,怎样将编译、链接后生成的可执行文件(.Out),经过转换后的十六进制文件(.Hex)写入硬件系统的Flash存储器中,让系统脱机运行,这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。
  
  从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例,介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。
  
  1Flash存储器的擦除
  
  Flash编程之前,应对Flash进行擦除,使其每个数据位都恢复为1状态,即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期,总线时序如图1。
  
  从图1可知,各总线周期的操作为:
  
  第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  
  第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  
  第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;
  
  第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
  
  第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  
  第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。
  
  完成上述操作后,Flash存储器被完全擦除,内部数据恢复为初始状态,全为FFH。
  
  在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:
  
  voiderase_flash()
  
  {
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010;
  
  }
  
  在TMS320C6711系统中,Flash所在地址段为CE1空间,其开始地址为0x90000000。这样,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为:
  
  #defineFLASH_ADR10x90005555
  
  #defineFLASH_ADR20x90002AAA
  
  需要说明的是,在对Flash进行擦除时,应对DSP及EMIF外存储器接口进行初始化,CE1空间定义为8位读写模式。
  
  初始化函数如下:
  
  voidc6x11_dsk_init(){/*DSP和EMIF初始化*/
  
  CSR=0x100;/*禁止所有中断*/
  
  IER=1;/*禁止除NMI外的所有中断*/
  
  ICR=0xffff;/*清除所有未完成的中断*/
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_GCR=0x3300
  
  
  
  ;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_CE0=0x30;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_CE1=0xffffff03;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDRP=0x61a;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDEXT=0x54529;
  
  }
  
  2Flash存储器的编程
  
  对Flash存储器进行字节编程之前,需要对它进行3个周期的编程指令操作,总线时序如图2。
  
  从图2可知,各总线周期的操作如下:
  
  第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
  
  第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  
  第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据A0H;
  
  第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据;
  
  ……
  
  在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:
  
  /*---------------------------------------------------------------------*/
  
  /*入口参数:pattern[]:数组,用于存储编程数据*/
  
  */start_address:所要编程的起始地址指针*/
  
  /*page_size:所要编程的Flash的页面尺寸*/
  
  /*出口参数:无*/
  
  /*---------------------------------------------------------------------*/
  
  voidflash_page_prog(unsignedcharpattern[],unsignedvolatilechar*start_address,intpage_size){
  
  volatileinti;
  
  unsignedvolatilechar*flash_ptr=start_address;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
  
  for(i=0;i<page_size;i++)
  
  *flash_ptr++=pattern[i];
  
  }
  
  其中,FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定义如下:
  
  #defineFLASH_KEY10xAA
  
  #defineFLASH_KEY20x55
  
  #defineFLASH_KEY30xA0
  
  3校验和的计算与编程原理
  
  (1)校验和的计算
  
  在程序中,应对Flash编程的正确性进行自动检查,把编程前数据的校验和编程后Flash中读出数据的校验和进行比较:如果相同,则编程成功;如果不相同,则编程失败。需要注意的是,在对Flash进行编程的过程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的编程数据,这样会导致一会地址编程的失败。
  
  其C语言程序如下:
  
  /*---------------------------------------------------------
  
  
  
  -------------*/
  
  /*入口参数:start_address:所要校验的起始地址*/
  
  /*size_in_byte:所要校验的Flash数据字节数*/
  
  /*出口参数:lchecksum:校验和*/
  
  /*----------------------------------------------------------------------*/
  
  intflash_checksum(intstart_address,intsize_in_byte){
  
  inti;
  
  intlchecksum;
  
  unsignedvolatilechar*flash_ptr=(unsignedvolatilechar*)
  
  start_address;
  
  inttemp;
  
  i=0;
  
  lchecksum=0;
  
  while(i<size_in_byte-4){
  
  temp=*flash_ptr++;
  
  temp&=0xff;
  
  lchecksum=lchecksum+temp;
  
  i++;
  
  }
  
  returnlchecksum;
  
  }
  
  (2)编程原理
  
  基本原理是:在仿真状态下,在PC机上运行DSP编程软件,由运行的DSP通过JTAG口从PC机上读入待编程的十六进制数据文件,由DSP将其写入到其外部Flash中,即完成用户数据文件的烧写工作。
  
  4编程数据的读入及编程
  
  编程时,由DSP程序从终端仿真计算机上打开要编程的十六进制文件,从十六进制文件中依次读入编程数据,并由DSP将其写入到其外部Flash中,程序段如下:
  
  while(data_flag=0){
  
  display_count++;
  
  if(display_count==DISPLAY_SIZE){
  
  display_count=0;
  
  /*printf(".");*/
  
  }
  
  for(i=0;i<FLASH_WRITE_SIZE;i++){
  
  j=fscanf(hex_fp,“%x”,&data);/*从文件中读入编程数据,每次取一个字节*/
  
  if(j==EOF||j==0){
  
  data_flag=1;
  
  break;
  
  }
  
  host_buffer[i]=data;
  
  checksum+=data;
  
  flash_addr+=1;
  
  if(falsh_addr>0x90020001){
  
  printf("ERROR:beyondvalidflashaddress!");
  
  }
  
  }
  
  //写入Flash
  
  ptr=(unsignedvolatilechar*)(flash_addr-0x80);
  
  if(data_flasg==0){
  
  length=FLASH_WRITE_SIXZE;
  
  flash_page_prog(host_buffer,ptr,length);
  
  printf("Programmingaddress:%x",flash_addr-0x
  
  
  
  80);
  
  }
  
  }
  
  注意:所采用的十六进制文件应使用“Hex6x.exe”命令,并在hex.cmd命令文件中使用“-a”参数生成的文件;指定的存储器长度必须能被128整数(len参数能被128整除)。因为AT29LV010A以扇区为操作单位,每个扇区为128字节,共1024个扇区,其格式如下:
  
  …
  
  -maphex.map
  
  -a
  
  -image
  
  -zero
  
  -memwidth8
  
  ROMS
  
  {
  
  FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,files={test.hex}
  
  }
  
  …
  
  5仿真运行
  
  将上述程序组成一个完整的程序,经过编译、链接(Project/Build命令)后,使用“File/LoadProgram...”将编程代码Load到DSP中,运行程序,经过几分种后即编程完毕。
  
  结语
  
  对DSP外部Flash编程虽不是一项关键技术,但它在整个DSP嵌入式系统开发中却有着至关重要的作用。如果开发者在设计之初就掌握了这项技术,就会大大方便系统的调试,缩短开发时间。
  
  由于篇幅所限,本文仅给出部分核心程序代码,读者可利用上述代码编写一个完整的程序。
  
  
  
  
  
  

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